場效應管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管小省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙型晶體管。
MOS管應用電路
MOS管顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源，也有照明調光。
現在的MOS驅動，有幾個特別的需求。1，低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于三管的be有0.7V左右的壓降，導致實際終加在gate上的電壓只有4.3V。這時候，我們選用標稱gate電壓4.5V的MOS管就存在一定的風險。 同樣的問題也發生在使用3V或者其他低壓電源的場合。
1. MOS管工作原理--MOS管簡介
MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導體，確切的說，這個名字描述了集成電路中MOS管的結構，即：在一定結構的半導體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵。MOS管的source和drain是可以對調的，都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。
2. MOS管工作原理--Mos管的結構特點
MOS管的內部結構如下圖所示;其導通時只有一種性的載流子(多子)參與導電，是單型晶體管。導電機理與小功率MOS管相同，但結構上有較大區別，小功率MOS管是橫向導電器件，功率MOSFET大都采用垂直導電結構，又稱為VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。
其主要特點是在金屬柵與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻，該管導通時在兩個高濃度n擴散區間形成n型導電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導電溝道產生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加柵壓(柵源電壓為零)時，就有導電溝道產生的n溝道MOS管。
3. MOS管工作原理--MOS管的特性
3.1MOS管的輸入、輸出特性
對于共源接法的電路，源和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離，所以柵電流為0。
MOS管的特性
3.2MOS管的導通特性
MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由于MOS管是電壓控制元件，所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態。下面以NMOS管為例介紹其特性。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源接地時的情況(低端驅動)，只要柵電壓達到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源接VCC時的情況(**驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作**驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在**驅動中，通常還是使用NMOS。
4. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應管)它是利用VGS來控制“感應電荷”的多少，以改變由這些“感應電荷”形成的導電溝道的狀況，然后達到控制漏電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現大量正離子，故在交界面的另一側能感應出較多的負電荷，這些負電荷把高滲雜質的N區接通，形成了導電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏電流ID。當柵電壓改變時，溝道內被感應的電荷量也改變，導電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏電流ID隨著柵電壓的變化而變化。
知識延伸
MOS管的分類
按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導電方式：MOS管又分耗盡型與增強型，所以MOS場效應晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類：N溝道消耗型、N溝道增強型、P溝道消耗型、 P溝道增強型。
MOS管應用
MOS管顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動，也有照明調光。而且由MOS管構成的CMOS傳感器為相機提供了越來越高的畫質，成就了多的“攝影家”。
MOS管工作原理—參考資料
1、MOS管的開關損耗-反激式分析
描述：利用反激式分析MOS管的開關損耗
2、MOSFET的工作原理
描述：功率MOSFET的結構和工作原理
3、MOS、三管用作開關時的區別聯系
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